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对于量子点限制系统，在外加偏压下，自由电子的数量减少甚至耗尽，构成了少电子系统。由于体系中参与输运的电子数量较少，在分析其输运性质时应考虑电子的自旋效应和电子之间的相互作用。系统中能级的分离也会影响电子很少的系统的输运性质。比如施加磁场时，能级分裂，所以电子对能级的占据随磁场变化，不同磁场下的电子输运不同。对于单量子点器件，需要考虑量子点上电子之间的相互作用以及量子点与两极之间的电子耦合效应。对于多量子点器件，有必要进一步分析量子点之间的电子耦合。
纳米电子器件模型分析，单量子点器件模型是单量子点器件的原理图及其等效电路图。如果源漏偏置电压足够小，并且施加的栅极电压使得量子点上的化学势LN位于双结化学势ls和Ld之间，则出现电导峰，扫描施加的栅极电压，出现电导峰周期。能级的激发态进入输运窗口。此时，传输电子不仅可以占据基态能级，还可以占据激发态能级。传输通道的增加直接导致传输电流的增加。
由于一些电子元器件储存时间较长，元器件引脚上有一层氧化膜，比较厚，松香无法去除。焊接前，得要用砂纸或小刀轻轻刮去元器件引脚上的氧化膜，然后镀上一层焊料。如果电子元件的生产日期临近，元件引脚上的氧化膜可以在镀锡过程中通过松香去除。有时，印制板上的铜垫有严重的氧化迹象，也得要用细砂纸轻轻打磨，然后镀锡。
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